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本届CICE富士通半导体的展台展示了过去3年富士通半导体的ASIC设计服务在高性能应用领域取得的一系列令人瞩目的成绩， 这包括：内含富士通半导体ADC/ DAC IP的ASIC产品支持40G、100G、400G 波分复用网络（DWDM）和测试仪表市场，工艺节点从65nm40nm28nm，有多个电信设备行业的顶级客户采用了该公司的技术并成功实现量产。
在消费市场，富士通半导体的世界上第一个采用28nm HPL（高性能低功耗）工艺的LTE/3G/2G 基带LSI，用于手机。由于特别使用了富士通半导体开发的低功耗methodology，使其降低了30%的动态功耗。在设计方面，此基带LSI还采用了富士通半导体的一系列的IP，包括ARM Cortex、DigRFV3、V4、HSIC、USB2.0
随着中国设计能力的提升，这些目前还很先进的技术在国内的需求越来越大，如图6所示为富士通半导体的28nm技术目标市场。“我们看到了这种需求，所以通过本届CICE展会和技术论坛展示这些有代表性的成功案例，希望富士通半导体的ASIC设计服务能够助力中国高端SoC设计的梦想照进现实。” 陈博宇最后总结。
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